型号:MT9VDDT6472HY-335F2 | 类别:存储器 - 模块 | 制造商:Micron Technology Inc |
封装:200-SODIMM | 描述:MODULE DDR 512MB 200-SODIMM |
详细参数
类别 | 存储器 - 模块 |
---|---|
描述 | MODULE DDR 512MB 200-SODIMM |
系列 | - |
制造商 | Micron Technology Inc |
存储器类型 | DDR SDRAM |
存储容量 | 512MB |
速度 | 333MT/s |
特点 | - |
封装/外壳 | 200-SODIMM |
供应商
深圳市芯宇华航科技有限公司 | 张先生18025408677 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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MT9VDDT6472HY-335F2相关型号
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固定式
Taiyo Yuden
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INDUCTOR 4.7UH 20% 1607 SMD
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PMIC - 稳压器 - 线性
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TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
IC REG LDO 3.3V .5A DPAK-5
- HM66A-0732680MLF13
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SHIELDED POWER INDUCTORS
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通孔电阻器
Vishay BC Components
轴向
RES 100 OHM 2W 5% MF FUSIBLE
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接线座 - 隔板块
On Shore Technology Inc
CONN BARRIER STRIP 20CIRC 7.62MM
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- MT9VDDT6472AY-40BJ1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
184-UDIMM
MODULE DDR SDRAM 512MB 184UDIMM
- NFR25H0003307JR500
通孔电阻器
Vishay BC Components
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RES .33 OHM .50W 5% MF FUSIBLE
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PMIC - 稳压器 - 线性
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TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
IC REG LDO ADJ .5A DPAK-5
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通孔电阻器
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轴向
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矩形- 接头,插座,母插口
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CONN BARRIER STRIP 21CIRC 7.62MM
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通孔电阻器
Vishay BC Components
轴向
RES 6.8K OHM .50W 5% MF FUSIBLE
- MT9VDDT6472G-265D2
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
184-DIMM
MODULE SDRAM DDR 512MB 184DIMM
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RES 220 OHM 2W 5% MF FUSIBLE
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轴向
RES 3.3 OHM 2W 5% MF FUSIBLE
- OSTYK31402030
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CONN BARRIER STRIP 2CIRC 7.62MM
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矩形- 接头,插座,母插口
Sullins Connector Solutions
CONN RECEPT 2MM SINGLE STR 40POS
- MT9VDDT6472Y-265D2
存储器 - 模块
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184-DIMM
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- NCV898031D1R2G
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IC REG CTRLR BUCK PWM CM 8SOIC
- NCP552SQ30T1
PMIC - 稳压器 - 线性
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SC-82A,SOT-343
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TVS - 晶闸管
Littelfuse Inc
6-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
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通孔电阻器
Vishay BC Components
轴向
RES 2.2 OHM 3W 5% MF FUSIBLE